该公司将在日本三重的四日工厂中拓展其先进的5号半导体制造设施(以下简称“Fab 5”)，以确保采用下一代工艺技术制造的NAND闪存和未来的3D内存拥有足够的制造空间。Fab 5的第二期建设将于今年8月末开始，并于明年夏季完成。有关设备投资和生产的决策将反映市场趋势。
四日工厂目前拥有三个批量生产NAND闪存的制造设施，包括Fab 5第一期。Fab 5的建设围绕两个期规划，第一期已于2011年7月投入运营。经过仔细考虑产品供求平衡，并注意到日益增长的智能手机、平板电脑、企业服务器固态硬盘和其他新应用的需求所推动的复苏之后，东芝如今预计中长期市场将进一步拓展，并且意识到目前是拓展Fab 5的时候了。
除了确保采用该公司最新工艺技术制造的未来几代NAND闪存的产能，东芝还将使用Fab 5第二期制造设施来生产预计在未来几年应用范围会不断扩大的3D内存。此次拓展将使该公司提高竞争力，并增强其对技术进步和市场需求的响应能力。
Fab 5第二期制造设施将拥有一套自动化产品运输系统和吸震结构，并且采用了旨在使环境负载最小化的设计。LED照明和最新节能生产设施的部署，加上废热的全面高效使用，预计将使二氧化碳排放量较4号制造设施减少13%。
展望未来，东芝将通过及时的投资、先进工艺技术方面的领导力以及可以满足市场需求的新一代内存的开发来拓展其内存业务和提高竞争力。
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