横店集团东磁申请无掩膜单次沉积硅层制备TBC太阳能电池专利

2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，横店集团东磁股份有限公司申请一项名为“一种无掩膜单次沉积硅层制备TBC太阳能电池的方法”的专利，公开号CN 118825141 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明涉及太阳能电池领域，公开了一种无掩膜单次沉积硅层制备TBC太阳能电池的方法。首先，本发明通过优化工艺步骤，在不构建掩膜层的情况下实现了单次沉积本征多晶硅层制备TBC太阳能电池，可进一步简化制备步骤，并有效提升产品的性能和良品率，并同时显著降低生产成本。其次，本发明通过巧妙的差异化激光处理工艺，可制得具有凸形隔离区结构的TBC太阳能电池，不仅可减少p区和n区发生短路的概率，还可降低部分硼扩散层或磷扩散层厚度以减少寄生吸收影响。

(关键字：太阳能)