中锗科技取得用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头、测试装置及测试方法专利

2025年3月25日消息，国家知识产权局信息显示，中锗科技有限公司取得一项名为“一种用于InP磷化铟单晶片电性能测试的高斯计探头、测试装置及测试方法”的专利，授权公告号CN 112986633 B，申请日期为2021年4月。

天眼查资料显示，中锗科技有限公司，成立于2012年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本22033.8984万人民币，实缴资本22033.8984万人民币。通过天眼查大数据分析，中锗科技有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息18条，专利信息136条，此外企业还拥有行政许可40个。

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