10月25日消息，据报道，东芝公司（ToshibaCorporation）宣布推出第二代采用硅基氮化镓（GaN-on-Si）工艺打造的白色LED产品。“TL1F2系列”是在200mm硅晶圆上使GaN结晶生长制造而成。新产品计划于2013年11月投入量产。
此前，东芝于2012年12月14日宣布，开发出了首款用于LED照明的白色LED芯片“TL1F1系列（1W）”。据东芝介绍，“TL1F2系列”在此基础上，优化了解决方案以及提高了光学输出功率。TL1F2系列色温范围为2700k到6500k，最小的显色性指数(CRI)值分别为80年和70年，而104到135光通量范围的LED（1W）取决于颜色、温度和CRI。
这种GaN-on-Si型LED元件由东芝与普瑞光电（Bridgelux）共同开发。与目前普遍使用的蓝宝石基板（GaN-on-Sapphire型）、碳化硅基板LED元件相比，拥有价格竞争力。
“TL1F2系列（1W）”的尺寸为6.4mm×5.0mm×1.35mm。350mA驱动时的标准光输出电压为2.85V。标准可控温度范围为-40到100°C。
LED可降低正向电压（VF），属于亚瓦型低功耗产品。该产品将以两种封装推出：采用3.0x1.4mm封装的TL2FK系列以及采用3.0x3.0mm封装的TL3GA系列。应用于一般照明光源，包括直管灯、灯泡、衬底灯光和天花灯。
特性总结如下：
1.采用硅基氮化镓制程打造；
2.两个系列产品分别以3.0x1.4mm和3.0x3.0mm两种不同封装推出；
3.低功耗。
据东芝称，白色LED元件的市场规模在2011年为7000亿日元，预计2016年度将达到1.25万亿日元。东芝将在白色LED方面推进产品开发并扩大销量，力争在2016年度获得10％的市场份额。
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