纳维达斯半导体申请 GaN 半桥电路等专利，提升电路性能

2024 年 12 月 23 日消息，国家知识产权局信息显示，纳维达斯半导体有限公司申请一项名为“GaN 半桥电路和 GaN 自举电源电压发生器电路”的专利，公开号 CN 119154647 A，申请日期为 2020 年 4 月。

专利摘要显示，公开了 GaN 半桥电路和 GaN 自举电源电压发生器电路。该电路包括配置为供应第一电源电压的自举电源电压发生器，并且包括开关节点。该电路还包括自举晶体管、自举晶体管驱动电路以及与开关节点和自举晶体管连接的自举电容器。自举电容器被配置为在开关节点处的电压等于第二开关节点电压时供应第一电源电压，自举晶体管被配置为在开关节点处的电压等于第开关节点电压时将自举电容器与处于第二电源电压的电源节点电连接，并且自举电源电压发生器不包括与自举晶体管的漏极和源极并联的独立二极管。

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